智通財經獲悉，華創(chuàng)證券發(fā)布研究報告稱，此輪存儲周期底部信號明確，上行拐點可期，同時國際貿易形勢變換推動國產替代加速，國內優(yōu)質存儲產業(yè)鏈公司將迎來發(fā)展機遇。以AIGC為代表的高算力應用場景驅動存儲器容量顯著提升，據美光測算，AI服務器中DRAM/NAND用量分別為傳統(tǒng)服務器的8倍/3倍，此外，隨著汽車智能化的發(fā)展，車載存儲有望實現大踏步升級，CFM閃存市場預計，至2030年汽車存儲市場規(guī)模有望以超過20%的復合增速躍過200億美元大關。

建議關注：兆易創(chuàng)新(603986.SH)、北京君正(300223.SZ)、深科技(000021.SZ)、普冉股份(688766.SH)、東芯股份(688110.SH)、恒爍股份(688416.SH)、雅克科技(002409.SZ)等。

(資料圖)

華創(chuàng)證券主要觀點如下：

半導體最大細分市場之一，DRAM和NAND Flash為核心品類。

半導體存儲器是以半導體電路作為媒介的存儲器，2022年全球半導體存儲器市場規(guī)模約1344億美元，占集成電路市場份額約23%，是僅次于邏輯芯片的第二大半導體細分市場。憑借高存儲密度和相對低廉的成本優(yōu)勢，DRAM和NAND Flash成為存儲芯片市場核心產品，合計占存儲芯片市場份額95%以上。DRAM采取了制程推進和新技術并舉的發(fā)展思路，3D DRAM、HBM等新興技術層出不窮;而NAND Flash聚焦3D堆疊技術和架構改良提升存儲密度，現階段主流廠商量產的NAND產品層數已至200+，同時領先廠商采用 CuA/PuC等改良架構，提升存儲單元的面積利用率亦可提升 NAND 性能。

需求端：PC&手機基本盤穩(wěn)健，AI&汽車驅動新一輪產業(yè)行情。

存儲市場規(guī)模波動與新電子產品快速滲透、舊電子產品代際更迭密切聯系，總體呈現出螺旋式上升的趨勢，自上世紀90年代以來，存儲市場分別經歷了由PC、功能機、智能手機驅動的三輪上漲行情，2006至2022年存儲市場復合增速約5.6%，略高于半導體整體表現。分下游領域來看：PC、手機市場占據著NAND 及DRAM 產能的半壁江山，隨著終端配置升級位元需求穩(wěn)中有進。以AIGC為代表的高算力應用場景驅動存儲器容量顯著提升，據美光測算，AI服務器中DRAM/NAND用量分別為傳統(tǒng)服務器的8倍/3倍;同時亦催生了更高性能的新型存儲器的海量需求，HBM突破了內存容量與帶寬瓶頸，被視為新一代DRAM解決方案，成為AI時代不可或缺的關鍵技術，海外巨頭領銜，未來國內存儲廠商有望積極跟進，產業(yè)鏈配套全面升級。而隨著汽車智能化的發(fā)展，車載存儲有望實現大踏步升級，CFM閃存市場預計，至2030年汽車存儲市場規(guī)模有望以超過20%的復合增速躍過200億美元大關。

供給端：原廠減產并削減資本開支，供需再平衡有望于23H2實現。

存儲芯片標準化程度高，產品可替代性強，價格彈性大，受下游需求影響較為明顯，導致存儲芯片價格周期性特征尤為明顯。2022年以來，受消費電子市場持續(xù)疲軟影響，存儲芯片市場持續(xù)低迷，在市場需求不明朗、庫存高漲、業(yè)績普遍虧損等因素疊加影響下，各大原廠紛紛出臺減少產出、降低投資、放緩技術升級等措施來調節(jié)供需關系緩解價格下降趨勢。目前，終端市場庫存已逐漸降至健康水位，主流DRAM/NAND現貨報價均位于歷史低位，下行空間有限。隨著Q3主要PC&智能手機廠商新品上市，國內服務器市場陸續(xù)交付，Q1淡季減產Q3旺季生效，以及近一年來行情調整下庫存壓力的逐步釋放，存儲行情或最快在23Q3企穩(wěn)。

美光在華審查未通過，國產替代進程有望加速。

因美光公司產品存在較嚴重網絡安全問題隱患，對我國關鍵信息基礎設施供應鏈造成重大安全風險，影響我國國家安全，網絡安全審查辦依法對美光在華銷售產品進行了網絡安全審查，我國內關鍵信息基礎設施的運營者應停止采購美光公司產品。美光與中國總部客戶相關的銷售額中約有一半可能受到此次網絡安全調查的影響，占其全球收入的“低兩位數百分比”。隨著經濟數字化轉型，云計算、物聯網、AI、大數據等技術的發(fā)展，國內對信息安全可靠和自主可控的需求不斷增加，存儲產品作為數據中心的重要組成部分，存儲安全也上升到國家戰(zhàn)略地位。國內存儲產業(yè)發(fā)展的必要性不容置疑，自主可控大勢所趨。

風險提示：下游需求恢復不及預期，產品迭代不及預期，行業(yè)競爭加劇。

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