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8月1日，半導(dǎo)體行業(yè)存儲技術(shù)開發(fā)商Weebit Nano Limited宣布其推出的電阻式隨機存取存儲器（ReRAM）模塊已完全符合汽車1級非易失性存儲器（NVM）的指定溫度要求，即125℃。這證明Weebit ReRAM適用于微控制器和其它汽車組件以及高溫工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。

本次溫度測試使用Weebit演示芯片，該芯片由研發(fā)合作伙伴CEA-Leti根據(jù)JEDEC非易失性存儲器行業(yè)標準進行制造。此類標準是從三個獨立晶圓批次中盲選許多硅芯片進行嚴格測試。

大多數(shù)用于消費和工業(yè)應(yīng)用的芯片需要在0至 85 ℃的溫度條件下進行長達 10 年的測試。針對先進汽車部件的測試則更為嚴格，需要在更高溫度下進行 10 年或更長時間的合格測試，且不能出現(xiàn)任何故障。所有Weebit芯片都成功通過了在125℃下為期10年的整套合格測試，證明Weebit的嵌入式ReRAM IP的質(zhì)量和可重復(fù)性達標，可在需要高溫及可靠性的應(yīng)用中使用。

圖源來自Weebit Nano官網(wǎng)

Weebit Nano首席執(zhí)行官 Coby Hanoch 表示：“成功通過鑒定屬于Weebit Nano一個項目，通過該項目，我們將把ReRAM（RRAM）技術(shù)擴展到更高的溫度、更長的保持時間和更高的耐用性水平。我們在與一級代工廠和半導(dǎo)體公司的討論過程中發(fā)現(xiàn)他們對我司用于汽車和工業(yè)應(yīng)用的ReRAM越來越感興趣。能夠證明Weebit ReRAM在高溫下的彈性程度將繼續(xù)推動討論進程。我們相信與其他新興的非易失性存儲器（NVM）相比，ReRAM是汽車和工業(yè)應(yīng)用的更好選擇，這得益于其優(yōu)越的高溫性能、低復(fù)雜性、高成本效益和其他諸如對輻射和電磁干擾耐受性等優(yōu)勢。"

Yole集團旗下Yole Intelligence公司內(nèi)存部門首席技術(shù)與市場分析師Simone Bertolazzi表示：“嵌入式ReRAM在編程時間、耐用性和功耗等性能指標方面都優(yōu)于閃存，是汽車應(yīng)用的理想選擇。由于主要代工廠和領(lǐng)先汽車MCU供應(yīng)商的需求量增加，嵌入式ReRAM晶圓的數(shù)量預(yù)計將在2022年至2028年期間以大于80%的年復(fù)合增長率增長。在這一大背景下，Weebit的ReRAM 能夠以較低成本上升至先進工藝節(jié)點，而現(xiàn)代汽車芯片正是基于這些工藝節(jié)點所設(shè)計的。Weebit Nano與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者攜手為這一不斷增長的市場開創(chuàng)了電阻式存儲器技術(shù)，為芯片設(shè)計人員提供了機會，助力創(chuàng)建性能、功耗和成本更加平衡的汽車電路。

Weebit ReRAM演示芯片由用于嵌入式應(yīng)用的完整子系統(tǒng)組成，包括Weebit ReRAM模塊、RISC-V 微控制器 (MCU)、系統(tǒng)接口、存儲器和外設(shè)。ReRAM 模塊包括128KB 1T1R ReRAM陣列、控制邏輯、解碼器、IO（輸入/輸出通信元件）和糾錯碼 (ECC)。它采用獨特的正在申請專利的模擬、數(shù)字電路設(shè)計和運行智能算法，大大提高存儲器陣列的技術(shù)參數(shù)。Weebit將繼續(xù)與CEA-Leti和 SkyWater Technology合作，將其ReRAM模塊的認證擴展到更高的溫度和耐用性水平。

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